集積ナノデバイス

平本俊郎 編著 ; 内田建, 杉井信之, 竹内潔 著

変革期を迎えるVLSI技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第1巻。ナノスケールVLSIデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。

「BOOKデータベース」より

[目次]

  • 1 序論(スケーリング則とムーアの法則
  • 集積ナノデバイスの諸問題 ほか)
  • 2 MOSトランジスタの基礎(MOSトランジスタの構造と動作
  • MOSトランジスタの1次近似モデル ほか)
  • 3 微細トランジスタの性能向上(極薄膜Siや3次元構造Siによる新構造トランジスタ
  • 移動度向上技術(ひずみSi、新チャネル材料))
  • 4 微細化・集積化にともなう諸問題(スケーリングによる微細化とその課題
  • 微細MOSFETの信頼性 ほか)
  • 5 将来展望(将来に向けての技術動向
  • 集積ナノデバイスマップ ほか)

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 集積ナノデバイス
著作者等 内田 建
平本 俊郎
杉井 信之
竹内 潔
書名ヨミ シュウセキ ナノデバイス
シリーズ名 半導体デバイスシリーズ 1
出版元 丸善
刊行年月 2009.11
ページ数 227p
大きさ 21cm
ISBN 978-4-621-08208-9
NCID BB00432152
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全国書誌番号
21684664
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言語 日本語
出版国 日本
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