半導体デバイスの基礎

松本智 著

本書は、初学者から、大学院生、専門技術者へスムーズに橋渡しのできることを目指した斬新なテキストである。はじめは、エネルギーバンド図を用いずに、空間電荷分布モデルで基本的特性の説明を行い、初学者がそれらのデバイスの全体像を把握できてから、エネルギーバンドを用いたpn接合、MOSキャパシタ・トランジスタの詳細な説明を行うなど、高度なレベルにも対応できるように工夫している。特徴は、(1)MOSデバイスの記述に重点をおいたこと、(2)出来るだけ具体的数値を用いて説明していること、(3)例題と問題を充実させ学習の便をはかったこと、などである。

「BOOKデータベース」より

[目次]

  • 1 情報化社会を支える半導体デバイス
  • 2 デバイスを理解するための半導体物理の基礎
  • 3 pn接合ダイオード
  • 4 金属・半導体接触
  • 5 MOSキャパシタ
  • 6 MOSFET
  • 7 MOS論理ゲート
  • 9 バイポーラ・トランジスタ
  • 9 化合物半導体高速トランジスタ
  • 10 光デバイス

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 半導体デバイスの基礎
著作者等 松本 智
書名ヨミ ハンドウタイ デバイス ノ キソ
シリーズ名 電気・電子・情報工学系テキストシリーズ / 秋月影雄, 高橋進一 共編 5
出版元 培風館
刊行年月 2003.11
ページ数 236p
大きさ 22cm
ISBN 4563036854
NCID BA64624859
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全国書誌番号
20529333
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言語 日本語
出版国 日本
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