マイクロ波トランジスタ

高山洋一郎 著 ; 電子情報通信学会 編

本書は、マイクロ波トランジスタの代表的存在であるGaAs FETとHBTを取り上げ、化合物半導体の特性、GaAs FETおよびHBTの構造、製法および動作原理、基本応用回路の構成および動作原理を説明する。特に、デバイスおよび回路応用のインタフェース領域技術に重点を置いて解説を行う。

「BOOKデータベース」より

[目次]

  • 第1章 マイクロ波デバイスの進歩と機器への応用
  • 第2章 化合物半導体とGaAs FET
  • 第3章 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  • 第4章 マイクロ波トランジスタの回路論的取扱い
  • 第5章 マイクロ波トランジスタの小信号モデル
  • 第6章 マイクロ波トランジスタの雑音モデルおよび雑音特性
  • 第7章 GaAs FETの大信号モデル
  • 第8章 マイクロ波トランジスタ非線形回路解析
  • 第9章 マイクロ波トランジスタ増幅器
  • 第10章 マイクロ波トランジスタ発振器、スイッチおよびミクサ

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 マイクロ波トランジスタ
著作者等 電子情報通信学会
高山 洋一郎
書名ヨミ マイクロハ トランジスタ
書名別名 Microwave transistors
出版元 電子情報通信学会 : コロナ社
刊行年月 1998.12
ページ数 244p
大きさ 22cm
ISBN 4885521572
NCID BA39023711
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全国書誌番号
99126950
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言語 日本語
出版国 日本
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